Zgryźliwość kojarzy mi się z radością, która źle skończyła.
Pierwsze kroki
Tranzystory
dla początkujących
część
18
Cegiełki
Zgodnie z obietnicą z ubiegłego miesiąca, zapoznam Cię z kolejnymi “cegiełkami” stosowanymi
w praktycznie budowanych wzmacniaczach. Nie przegap tego materiału, bo na koniec
przygotowałem niespodziankę, która niewątpliwie sprawi Ci dużo radości.
Źródła prądowe i układy
powtarzania prądu
wości układu z rysunku 12a, ale prościej
można je polepszyć dodając niewielkie
rezystory emiterowe wg rysunku 12c.
Układy powtarzania prądu, pełniące
także często rolę źródeł prądowych, zbu−
dowane według rysunku 12, wykorzysty−
wane są bardzo często, ponieważ umożli−
wiają uniezależnienie parametrów układu
od zmian napięcia zasilającego. Wtedy na
przykład wzmacniacz pobiera niemal taki
sam prąd spoczynkowy w bardzo szero−
kim zakresie napięć zasilających.
Połączenie równoległe
W celu zwiększenia prądu oraz mocy
strat, kilka tranzystorów niekiedy łączy się
równolegle. Wtedy nie zyskuje się żad−
nych specjalnych właściwości − po prostu
powstaje tranzystor większej mocy. Bu−
dując potężny zasilacz albo wzmacniacz
audio większej mocy, będziesz łączył
tranzystory równolegle. Ale nigdy nie we−
dług rysunku 13.
Zastanów się, dlaczego? Czym to grozi?
A może zaproponujesz dobranie jedna−
kowych tranzystorów, z jednej serii produk−
cyjnej i dodatkowo selekcjonowanych?
Słusznie! Ale i wtedy nie wolno stosować
połączenia według rysunku 13.
Dlaczego?
A z jaką dokładnością dobierzesz te
tranzystory? Czy naprawdę będą idealnie
jednakowe?
Źródło prądowe i układ powtarzania
prądu poznałeś już wcześniej, gdy oma−
wialiśmy podstawowe właściwości tran−
zystora w obwodach prądu stałego i roz−
ważaliśmy wpływ temperatury. Na rysun−
ku 12 zobaczysz schemat prostego i bar−
dziej rozbudowanego układu powtarzania
prądu. Dodanie trzeciego tranzystora wg
rysunku 12b znacznie poprawia właści−
Rys. 12
Rys. 13
E
LEKTRONIKA DLA WSZYSTKICH 8/99
31
Pierwsze kroki
Właśnie − nigdy nie będą idealnie jed−
nakowe. A dodatkowo pojawią się różni−
ce wynikające choćby z różnej długości
ścieżek czy przewodów w obwodach baz
i emiterów. I już bardzo drobne różnice
wystarczą do zepsucia całej kosztownej
baterii tranzystorów. Zacznie się to wszy−
stko przy dużym sumarycznym prądzie,
przekraczającym dopuszczalny prąd jed−
nego tranzystora. Rozpocznie się od jed−
nego z tranzystorów, przez który będzie
płynął prąd odrobinę większy niż przez in−
ne tranzystory. Ten jeden tranzystor na−
grzeje się minimalnie bardziej niż inne...
To zapoczątkuje katastrofę. Jak pamię−
tasz, wzrost temperatury powoduje
zmniejszenie napięcia U
BE
(a przy stałym
napięciu U
BE
powoduje szybki wzrost prą−
du bazy i kolektora). W tym wypadku na−
pięcie U
BE
będzie takie samo jak w pozo−
stałych tranzystorach, a więc prąd tego
najcieplejszego tranzystora będzie wzra−
stał. Wzrost prądu (przy niezmiennym na−
pięciu U
CE
) oznacza wzrost mocy strat
i dalszy wzrost temperatury tego jednego
tranzystora. To jeszcze bardziej zwiększy
prąd, temperaturę i... w końcu ten jeden
tranzystor przejmie na siebie cały prąd
z innych, coraz chłodniejszych tranzysto−
rów. Oczywiście po krótkim czasie tem−
peratura nadmiernie wzrośnie i ten tran−
zystor zostanie uszkodzony. Jeśli się ze−
wrze, oznacza to koniec zabawy − urzą−
dzenie przestanie działać, niemniej
uszkodzeniu ulegnie tylko ten tranzystor.
Co jednak bardziej prawdopodobne, ten
przeciążony tranzystor nie zewrze się, tyl−
ko rozewrze. Wtedy cały prąd przejmą
pozostałe ocalałe tranzystory. Po pew−
nym czasie jeden z nich będzie miał tem−
peraturę minimalnie wyższą niż inne...
Sytuacja powtórzy się i to właśnie on
“strzeli” w następnej kolejności. Potem
następny, i tak kolejno uszkodzą się
wszystkie. Miła perspektywa!
Aby zapobiec nieszczęściu, wystarczy
w obwodach wszystkich emiterów do−
dać niewielkie rezystory według rysunku
14, by przy największym spodziewanym
Rys. 14
się napięcia wyjścio−
wego, a ponadto
w spoczynku pobie−
ra znaczny prąd.
W EdW3/99 na ry−
sunku 11b na stro−
nie 65 podałem Ci
schemat symetrycz−
nego wtórnika, jaki
bywa stosowany
czasem w praktyce.
Nieporównanie czę−
ściej stosuje się jed−
nak prostszy i lepszy
układ, mający
podobne właściwo−
ści. Dotyczy to zwła−
szcza stopni wyj−
ściowych większej
mocy, w tym stopni
końcowych wzmacniaczy audio. Etapy
rozwoju takiego układu i kolejne odmiany
stosowane w praktyce zobaczysz na ry−
sunku 16. Dla ułatwienia analizy załóżmy,
że układy są zasilane napięciem syme−
trycznym.
Z dwóch okładów z rysunku a robimy
najpierw prościutki układ z rysunku b.
W spoczynku nie pobiera on prądu. Nie−
stety, w zakresie napięć wejściowych
±0,6V żaden z tranzystorów nie przewo−
dzi. Jest to poważna wada. Można ją wy−
eliminować na wiele sposobów. Rysunek
c pokazuje sposób z wykorzystaniem
diod. Spadek napięcia na diodach jest
mniej więcej taki, jak napięcie U
BE
tranzy−
storów, więc oba tranzystory są na grani−
cy przewodzenia (płynie przez nie jakiś
maleńki prąd spoczynkowy. Liniowość ta−
kiego symetrycznego wtórnika jest
znacznie lepsza, niż poprzedniego układu,
jednak też nie jest rewelacyjna. Ponadto
trudno kontrolować drobne różnice
i (temperaturowe) zmiany napięć diod
i napięć U
BE
tranzystorów, które będą po−
wodować znaczne zmiany prądu płynące−
go przez tranzystory (zwłaszcza przy róż−
nych temperaturach diod i tranzystorów).
Dlatego w praktyce bywa czasem stoso−
prądzie tranzystora, spadek napięcia na
tym dodatkowym rezystorze wynosił
0,1...0,4V. W zasadzie czym więcej, tym
lepiej, jednak nie warto przesadzać, bo
w rezystorach tych przy dużych prądach
będzie się wydzielać znaczna moc strat.
Połączenie szeregowe
tranzystorów
W literaturze znajdziesz być może
wskazówki, jak połączyć kilka tranzysto−
rów niskonapięciowych w wysokonapię−
ciowy. Towarzyszyć temu będzie sche−
mat podobny jak na rysunku 15. Obejrzyj
taki schemat, uśmiechnij się i... zapomnij.
Nigdy nie będziesz stosował takich “wy−
nalazków”. Dziś dostępne są przyzwoite
tranzystory wysokonapięciowe i napraw−
dę nie ma potrzeby zawracać sobie gło−
wy schematem z rysunku 15.
Tylko jedno wyjaśnienie − może cza−
sem zbudujesz wzmacniacz wysokona−
pięciowy w układzie kaskodowym (rysu−
nek 6). Pamiętaj, że tylko górny tranzy−
stor ma być wysokonapięciowy. Dolny
zawsze pracuje przy niskim napięciu
i może to być jakikolwiek tranzystor o od−
powiednim prądzie kolektora.
Rys. 15
Wyjście przeciwsobne
Prawdopodobnie zauważyłeś, że
omówione wcześniej wzmacniacze OC,
OE i OB mają niezbyt dobre właściwości
wyjściowe. Nawet najlepszy pod tym
względem układ OC nie zachowuje się
jednakowo przy wzroście i zmniejszaniu
Rys. 16
32
E
LEKTRONIKA DLA WSZYSTKICH 8/99
Pierwsze kroki
wany sposób z rysunku d, gdzie dodatko−
we rezystory stabilizują punkt pracy tran−
zystorów i wyznaczają prąd spoczynko−
wy. Oczywiście suma spadków napięcia
na tych niewielkich rezystorach jest rów−
na napięciu przewodzenia dwóch dodat−
kowych diod. Zmieniając wartości R
E1
iR
E2
można ustalić potrzebny w danym
zastosowaniu prąd spoczynkowy.
W praktycznych układach taki stopień
wyjściowy jest sterowany “od dołu”
przez tranzystor NPN. Wtedy zamiast
czterech diod, wystarczą trzy wg rysunku
e. A jeszcze częściej do ustalenia punktu
pracy tranzystorów wyjściowych, za−
miast diod, wykorzystuje się układ z ry−
sunku f. Zastanów się nad działaniem
tranzystora i potencjometru. Już rysunki
d, e sugerują, iż zastępuje on kilka diod.
W samej rzeczy − potencjometr umożli−
wia płynną regulację “liczby diod”, a tym
samym płynną regulację prądu spoczyn−
kowego. A najważniejsze, że taka “zwie−
lokrotniona dioda” ma charakterystyki
termiczne podobne jak zestaw diod. Ten
dodatkowy tranzystor montuje się blisko
tranzystorów wyjściowych (na radiatorze)
i wtedy przy zmianach temperatury tran−
zystorów prąd spoczynkowy prawie się
nie zmienia.
W stopniach większej mocy spotyka
się darlingtony, zwykłe i komplementarne
− zobacz rysunek g, a także rysunek h,
gdzie oba wyjściowe tranzystory (mocy)
są typu NPN. Tranzystor sterujący może
być umieszczony “u góry”, jak na rysun−
ku g, albo “na dole”, jak na rysunkach e,
f, h. Zamiast rezystora dość często stoso−
wane bywają źródła prądowe, jak na ry−
sunku h.
W praktyce zwykle dodaje się jeszcze
obwody ograniczania prądu, jak na rysun−
ku i. Wtedy nawet przy zwarciu wyjścia,
prąd maksymalny zostanie ograniczony
do wartości około 0,6V/R
E
.
Przy okazji drobna dygresja. Jeśli
w spoczynku przez tranzystory płynie du−
ży prąd, a w czasie pracy prąd żadnego
z tranzystorów nie spada do zera, mówi−
my o pracy w klasie A (np. rysunek 16a).
Gdy w spoczynku tranzystory są na pro−
gu przewodzenia, a prąd pojawia się do−
piero po pojawieniu się sygnału, mamy
do czynienia z klasą B (np. rys. 16c). Gdy
w spoczynku prąd nie płynie i nawet przy
małych sygnałach tranzystory są zatkane,
mamy do czynienia z klasą C (np. rys.
16b). Klasa A oznacza małe zniekształce−
nia, ale duże straty mocy. Oszczędne kla−
sy B i C wiążą się niestety z dużymi znie−
kształceniami. Dlatego w praktyce wy−
znacza się pracę stopnia w głębszej lub
płytszej pośredniej klasie AB, stosując
układy z rysunków 16d...i ustalając kom−
promisowo prąd spoczynkowy. Czym
większy ten prąd, tym mniejsze znie−
kształcenia. Oczywiście, są to tylko ogól−
ne zasady i w rzeczywistości ustalając
wartość prądu spoczynkowego należy
uwzględnić szereg innych czynników. Ta−
kie rozważania wykraczają jednak poza
ramy niniejszego cyklu.
z dwoma jednakowymi rezystorami
w obwodach kolektorowych tranzysto−
rów. Bardzo często wykorzystuje się sy−
gnał z obu kolektorów, czyli różnicę na−
pięć na kolektorach. Mówimy wtedy
o
wyjściu różnicowym
.
Może zresztą widziałeś ten układ
w nieco odmiennej postaci, pokazanej na
rysunku 18 i nazywanej wzmacniaczem
różnicowym. Różnicowym, ponieważ za−
równo wejście i wyjście są różnicowe.
Wzmacniacz różnicowy
Teraz kolejny ważny układ. Połączmy
dwa wzmacniacze (OC i OB) w jeden –
ilustruje to rysunek 17a i 17b.
Rys. 17
Jakie właściwości będzie miał ten
układ?
Gdy napięcie w punkcie A rośnie, ro−
śnie też napięcie na emiterze T1. Ponie−
waż napięcie U
BE
tranzystora T2 maleje,
zmniejsza się prąd płynący przez T2 i R
C2
.
Napięcie na kolektorze T2 (w stosunku)
do masy rośnie. Do całkowitego zatkania
tranzystora T2 wystarczy podnieść napię−
cie wejściowe o kilkadziesiąt miliwoltów.
Podobnie, aby go nasycić wystarczy obni−
żyć je o kilkadziesiąt miliwoltów. Już to
pokazuje, że układ ma duże wzmocnienie
prądowe i napięciowe, podobnie jak
wzmacniacz OE. Czy widzisz tu jakieś
podobieństwa z układem OE? Czy nie
masz wrażenia, że układ z rysunku
17b ma właściwości podobne jak wzmac−
niacz OE, tylko nie odwraca fazy?
Tu rzeczywiście rezystancja wejścio−
wa będzie podobna jak w układzie OE −
nie przeocz faktu, że obciążeniem tranzy−
stora T1 wbrew pozorom nie jest rezy−
stancja R
E
, tylko równoległe połączenie
R
E
ir
e
tranzystora T2 − porównaj rysunek
4 w EdW 7/99. Wobec tego rezystancja
wejściowa będzie niewielka, równa
Rwe = 2r
e
Czyli tylko dwukrotnie większa niż
w układzie OE.
Natomiast wzmocnienie jest dwukrot−
nie mniejsze i wynosi
Ku = R
C2
/ 2r
e
Niemniej nie jest to tylko “nieodwra−
cający odpowiednik wzmacniacza OE” −
ten układ ma szereg cennych właściwo−
ści, nie spotykanych we wcześniejszych
wzmacniaczach. W praktyce występuje
raczej w postaci jak na rysunku 17c −
Sygnał wejściowy nie jest już podawany
miedzy masę a jedno wejście, tylko mie−
dzy dwa wejścia. Nie masz chyba wątpli−
wości, że sygnał wyjściowy jest tu pro−
porcjonalny do
różnicy napięć na bazach
obu tranzystorów
. Czy tylko?
Analiza matematyczna wzmacniacza
różnicowego (z wykładniczą zależnością
prądu kolektora od napięcia U
BE
) przestra−
szyła już niejednego początkującego
adepta elektroniki. My nie będziemy się
w to wgłębiać. Nie bój się – wzmacniacz
różnicowy możesz na dobry początek po−
traktować jako połączenie wzmacniaczy
OC i OB jak na rysunku 17 – łatwiej bę−
dzie Ci zrozumieć jego podstawowe wła−
ściwości. Możesz założyć, że jedno wej−
ście ma stały potencjał, a napięcie zmie−
nia się tylko na drugim, albo odwrotnie.
Tak jest, można powiedzieć, że układ ma
“jednakowe właściwości z obu stron”.
Potem powinieneś podejść do niego ina−
czej. Już schemat z rysunku 18 wskazu−
je, że jest to układ symetryczny. Jak to ro−
zumieć? Od czego zacząć?
Uważaj − przez wspólny rezystor emi−
terowy R
E
płynie jakiś prąd I
E
. Pomińmy
prądy baz − wtedy powiemy, że prąd I
E
jest sumą prądów kolektora obu tranzy−
storów. Zaznaczyłem to na rysunku 18.
Czy prądy I
C1
, I
C2
będą równe?
To zależy od różnicy napięć na bazach
obu tranzystorów − zauważ, że to różnica
napięć na bazach zmienia rozpływ prądu
“emiterowego” pomiędzy dwa tranzy−
story, a tym samym zmienia różnicowe
napięcie wyjściowe.
Jasne?
E
LEKTRONIKA DLA WSZYSTKICH 8/99
33
Pierwsze kroki
A co wte−
dy, gdy na oba
wejścia poda−
my takie sa−
me napięcie
względem
masy (lub ze−
wrzemy je
i podamy na
oba jakieś na−
pięcie zmien−
ne)? Podaje−
my więc na
zwarte wej−
ścia napięcie
współbieżne.
Przeanalizuj
układ samo−
dzielnie, pomiń prąd bazy. Pomoże Ci ry−
sunek 19 (przyjąłem takie wartości na−
pięć i rezystancji, żeby było łatwiej li−
czyć). Jakie będzie napięcie wyjściowe,
gdy punkt A zewrzesz do masy? A jakie,
gdy podasz nań napięcie stałe +4V,
a potem −4V? Policz to!
tomiast różnicowe napięcie wyjścio−
we... stop, stop, za szybko. Tu pójdzie
nam trochę trudniej. Rysunek 19 suge−
ruje, że różnicowe napięcie wyjściowe
cały czas jest takie samo (równe zeru).
W rzeczywistości aż tak dobrze nie jest
− gdy napięcia na bazach będą minimal−
nie się różniły i będą się różniły prądy
I
C1
, I
C2
, wtedy wpływ zmian napięcia
współbieżnego będzie zauważalny. Ilu−
struje to rysunek 20a, b, c, gdzie to sa−
mo niewielkie różnicowe napięcie wej−
ściowe U3 (nie ważne jakiej wartości −
rzędu miliwoltów) powoduje podział
prądu I
E
w stosunku 2:1. Analiza rysun−
ków 20a, b, c wykazuje, że choć różni−
cowe napięcie wejściowe cały czas jest
takie samo (U3), jednak napięcie współ−
bieżne U4 ma wpływ na różnicowe na−
pięcie wyjściowe. Już zapewne zdąży−
łeś zauważyć, że zmiany te wynikają ze
zmian prądu IE (i tym samym I
C1
, I
C2
). Co
zrobić, by napięcie współbieżne nie
zmieniało prądu I
E
?
Masz jakiś pomysł?
Świetnie!
Wystarczy zamiast rezystora R
E
za−
stosować źródło prądowe według ry−
sunku 21.
Gdy źródło
prądowe jest
idealne, to...
no właśnie,
wtedy prąd I
E
zawsze jest
taki sam
i w konse−
kwencji na−
pięcie współ−
bieżne zupeł−
nie nie wpły−
wa na napię−
cia wyjścio−
we − przeana−
lizuj to samo−
dzielnie. Fa−
chowo po−
wiemy, że taki układ ma nieskończenie
wielki współczynnik tłumienia sygnału
współbieżnego. Ten współczynnik tłu−
mienia sygnału współbieżnego po an−
gielsku nazywa się Common Mode Re−
jection Ratio − w skrócie CMRR. Zapa−
miętaj − często będziesz go spotykał.
W praktyce źródło prądowe nie jest ide−
alne, niemniej jednak znalazłeś skutecz−
ny sposób na uniezależnienie się od na−
pięć współbieżnych. Wtedy wzmocnie−
nie sygnału wspólnego jest bliskie zeru,
natomiast wzmocnienie różnicowych
sygnałów wejściowych jest znaczne
(wyznaczone przez R
C
/r
e
).
A może jeszcze coś się uda ulepszyć?
Ulepszajmy
dalej − zwięk−
szmy wzmoc−
nienie przez za−
stosowanie
w kolektorach
źródeł prądo−
wych zamiast
rezystorów R
C
(rysunek 22).
Taki zabieg ra−
dykalnie zwięk−
szy wzmocnie−
nie (pod wa−
runkiem, że do−
łączona opor−
ność obciąże−
nia będzie bardzo duża, ale to już inny
problem).
W niektórych przypadkach nie zależy
nam na dużym wzmocnieniu, a ważniej−
sza jest liniowość. Jak się na pewno do−
myślasz, wystarczy dodać rezystory
w obwodach emiterów, a liniowość po−
lepszy się kosztem wzmocnienia −
zobacz rysunek 23.
Już chyba się przekonałeś, że to fajny
układ ten wzmacniacz różnicowy. Ale to
jeszcze nie koniec. Zmorą wszystkich
omawianych wcześniej wzmacniaczy
OC, OE, OB była zależność wielu klu−
Rys. 22
Rys. 19
I co?
Okazuje się, że owszem, napięcia na
kolektorach względem masy zmieniają
się, ale zmieniają się jednocześnie. Na−
Rys. 21
Rys. 20
34
E
LEKTRONIKA DLA WSZYSTKICH 8/99
Rys. 18
Pierwsze kroki
czowych para−
metrów
od
że w stopniu wejściowym zastosowa−
łem tranzystory PNP, a nie NPN.
Czy ten układ kojarzy Ci się z czymś?
Ze wzmacniaczem z Elektora 6/99?
Z każdym wzmacniaczem mocy?
Słusznie! Prawie każdy tranzystoro−
wy wzmacniacz mocy audio zbudowany
jest na takiej mniej więcej zasadzie.
A może jeszcze Ci się z czymś koja−
rzy? Nie?
Mój Drogi, dokonaliśmy właśnie
wspólnie fantastycznego wynalazku –
na rysunku 24 mamy prawdziwy
wzmacniacz operacyjny! Zauważ, że ma
on tylko pięć końcówek: dwie końcówki
zasilania (plus i minus, bez żadnej ma−
sy), wyjście i dwa wejścia (wejście róż−
nicowe). Jeśli prześledzisz drogę sygna−
łu, przekonasz się, że zwiększanie na−
pięcia na wejściu A zwiększa napięcie
wyjściowe. Wejście to nazywany wej−
ściem nieodwracającym. Z kolei wzrost
napięcia na wejściu B powoduje zmniej−
szanie się napięcia na wyjściu. Wejście
B jest wejściem odwracającym.
Teraz wyobraź sobie, że ktoś wykonał
taki wzmacniacz w postaci układu scalo−
nego. Od tej chwili mniej ważne stają
się szczegóły wewnętrzne − ogólne za−
sady działania każ−
dego wzmacnia−
cza operacyjnego
są takie same. Za−
czynamy go trakto−
wać jako czarną
skrzynkę z dwoma
wejściami, wyj−
ściem i dwoma za−
ciskami zasilania.
Rysujemy go w po−
staci jak na rysun−
ku 25. Taki jest
symbol wzmacnia−
cza operacyjnego.
W rzeczywisto−
ści budowa we−
wnętrzna współ−
czesnych wzmac−
niaczy operacyj−
nych jest daleko
bardziej skompliko−
wana, niemniej
ogólne podstawy
budowy i działania
są właśnie takie jak
na rysunku 24.
A tak na margine−
sie − mniej więcej
w ten sposób zbu−
dowany jest popu−
larny wzmacniacz
operacyjny z kostki
LM358.
Jeśli nadążasz
za mną, to właśnie
poznałeś składowe
tem−
peratury.
Załóżmy te−
raz, że we
wzmacniaczu
różnicowym
wykorzystuje−
my dwa iden−
tyczne tranzy−
story, umie−
szczone tuż
obok siebie na
jednej płytce
krzemu. Jedna−
kowe są nie
tylko wymiary
geometryczne,
ale także wszystkie parametry. Tempe−
ratura obu struktur też jest jednakowa.
Co z tego?
Nie będziemy wchodzić w szczegóły.
Generalnie temperatura wpłynie na nie−
które parametry, niemniej w sytuacji,
gdy tranzystory są jednakowe, wpływ
na ostateczne właściwości wzmacnia−
cza będzie niewielki.
Notujemy kolejną cenną właściwość
pary różnicowej − znaczną niezależność
parametrów od temperatury.
Oczywiście w rzeczywistości podane
warunki (identyczne parametry tranzy−
storów, identyczna temperatura, ideal−
nie źródło prądowe) nie są do końca
spełnione i każdy realny wzmacniacz
różnicowy nie jest doskonały. Jednak
generalnie to właśnie wzmacniacz różni−
cowy otwiera drogę do budowy poży−
tecznych wzmacniaczy o właściwo−
ściach praktycznie niezależnych od tem−
peratury i innych szkodliwych czynni−
ków.
Rysunek 24 pokazuje bardzo prosty
przykład realizacji takiego wzmacniacza.
Układ jest zasilany napięciem syme−
trycznym, ma wejście różnicowe (syme−
tryczne) i wyjście niesymetryczne. Nie−
wątpliwie ma bardzo duże wzmocnienie
różnicowe... Chyba Ci nie przeszkadza,
Rys. 25
Rys. 23
cegiełki oraz podstawy działania wzmac−
niacza operacyjnego. Teraz nie pozosta−
je mi nic innego, tylko w najbliższym
czasie zacząć tak długo oczekiwany cykl
na ten temat. Ale cyklu o tranzystorach
nie kończę. Listy nadsyłane w tej spra−
wie świadczą, że na łamach EdW po−
winny równolegle pojawiać się oba te−
maty. W najbliższym czasie zajmiemy
się zarówno wzmacniaczami operacyj−
nymi, jak i tranzystorami.
Piotr Górecki
Rys. 24
E
LEKTRONIKA DLA WSZYSTKICH 8/99
35
zanotowane.pl doc.pisz.pl pdf.pisz.pl hannaeva.xlx.pl
Tranzystory
dla początkujących
część
18
Cegiełki
Zgodnie z obietnicą z ubiegłego miesiąca, zapoznam Cię z kolejnymi “cegiełkami” stosowanymi
w praktycznie budowanych wzmacniaczach. Nie przegap tego materiału, bo na koniec
przygotowałem niespodziankę, która niewątpliwie sprawi Ci dużo radości.
Źródła prądowe i układy
powtarzania prądu
wości układu z rysunku 12a, ale prościej
można je polepszyć dodając niewielkie
rezystory emiterowe wg rysunku 12c.
Układy powtarzania prądu, pełniące
także często rolę źródeł prądowych, zbu−
dowane według rysunku 12, wykorzysty−
wane są bardzo często, ponieważ umożli−
wiają uniezależnienie parametrów układu
od zmian napięcia zasilającego. Wtedy na
przykład wzmacniacz pobiera niemal taki
sam prąd spoczynkowy w bardzo szero−
kim zakresie napięć zasilających.
Połączenie równoległe
W celu zwiększenia prądu oraz mocy
strat, kilka tranzystorów niekiedy łączy się
równolegle. Wtedy nie zyskuje się żad−
nych specjalnych właściwości − po prostu
powstaje tranzystor większej mocy. Bu−
dując potężny zasilacz albo wzmacniacz
audio większej mocy, będziesz łączył
tranzystory równolegle. Ale nigdy nie we−
dług rysunku 13.
Zastanów się, dlaczego? Czym to grozi?
A może zaproponujesz dobranie jedna−
kowych tranzystorów, z jednej serii produk−
cyjnej i dodatkowo selekcjonowanych?
Słusznie! Ale i wtedy nie wolno stosować
połączenia według rysunku 13.
Dlaczego?
A z jaką dokładnością dobierzesz te
tranzystory? Czy naprawdę będą idealnie
jednakowe?
Źródło prądowe i układ powtarzania
prądu poznałeś już wcześniej, gdy oma−
wialiśmy podstawowe właściwości tran−
zystora w obwodach prądu stałego i roz−
ważaliśmy wpływ temperatury. Na rysun−
ku 12 zobaczysz schemat prostego i bar−
dziej rozbudowanego układu powtarzania
prądu. Dodanie trzeciego tranzystora wg
rysunku 12b znacznie poprawia właści−
Rys. 12
Rys. 13
E
LEKTRONIKA DLA WSZYSTKICH 8/99
31
Pierwsze kroki
Właśnie − nigdy nie będą idealnie jed−
nakowe. A dodatkowo pojawią się różni−
ce wynikające choćby z różnej długości
ścieżek czy przewodów w obwodach baz
i emiterów. I już bardzo drobne różnice
wystarczą do zepsucia całej kosztownej
baterii tranzystorów. Zacznie się to wszy−
stko przy dużym sumarycznym prądzie,
przekraczającym dopuszczalny prąd jed−
nego tranzystora. Rozpocznie się od jed−
nego z tranzystorów, przez który będzie
płynął prąd odrobinę większy niż przez in−
ne tranzystory. Ten jeden tranzystor na−
grzeje się minimalnie bardziej niż inne...
To zapoczątkuje katastrofę. Jak pamię−
tasz, wzrost temperatury powoduje
zmniejszenie napięcia U
BE
(a przy stałym
napięciu U
BE
powoduje szybki wzrost prą−
du bazy i kolektora). W tym wypadku na−
pięcie U
BE
będzie takie samo jak w pozo−
stałych tranzystorach, a więc prąd tego
najcieplejszego tranzystora będzie wzra−
stał. Wzrost prądu (przy niezmiennym na−
pięciu U
CE
) oznacza wzrost mocy strat
i dalszy wzrost temperatury tego jednego
tranzystora. To jeszcze bardziej zwiększy
prąd, temperaturę i... w końcu ten jeden
tranzystor przejmie na siebie cały prąd
z innych, coraz chłodniejszych tranzysto−
rów. Oczywiście po krótkim czasie tem−
peratura nadmiernie wzrośnie i ten tran−
zystor zostanie uszkodzony. Jeśli się ze−
wrze, oznacza to koniec zabawy − urzą−
dzenie przestanie działać, niemniej
uszkodzeniu ulegnie tylko ten tranzystor.
Co jednak bardziej prawdopodobne, ten
przeciążony tranzystor nie zewrze się, tyl−
ko rozewrze. Wtedy cały prąd przejmą
pozostałe ocalałe tranzystory. Po pew−
nym czasie jeden z nich będzie miał tem−
peraturę minimalnie wyższą niż inne...
Sytuacja powtórzy się i to właśnie on
“strzeli” w następnej kolejności. Potem
następny, i tak kolejno uszkodzą się
wszystkie. Miła perspektywa!
Aby zapobiec nieszczęściu, wystarczy
w obwodach wszystkich emiterów do−
dać niewielkie rezystory według rysunku
14, by przy największym spodziewanym
Rys. 14
się napięcia wyjścio−
wego, a ponadto
w spoczynku pobie−
ra znaczny prąd.
W EdW3/99 na ry−
sunku 11b na stro−
nie 65 podałem Ci
schemat symetrycz−
nego wtórnika, jaki
bywa stosowany
czasem w praktyce.
Nieporównanie czę−
ściej stosuje się jed−
nak prostszy i lepszy
układ, mający
podobne właściwo−
ści. Dotyczy to zwła−
szcza stopni wyj−
ściowych większej
mocy, w tym stopni
końcowych wzmacniaczy audio. Etapy
rozwoju takiego układu i kolejne odmiany
stosowane w praktyce zobaczysz na ry−
sunku 16. Dla ułatwienia analizy załóżmy,
że układy są zasilane napięciem syme−
trycznym.
Z dwóch okładów z rysunku a robimy
najpierw prościutki układ z rysunku b.
W spoczynku nie pobiera on prądu. Nie−
stety, w zakresie napięć wejściowych
±0,6V żaden z tranzystorów nie przewo−
dzi. Jest to poważna wada. Można ją wy−
eliminować na wiele sposobów. Rysunek
c pokazuje sposób z wykorzystaniem
diod. Spadek napięcia na diodach jest
mniej więcej taki, jak napięcie U
BE
tranzy−
storów, więc oba tranzystory są na grani−
cy przewodzenia (płynie przez nie jakiś
maleńki prąd spoczynkowy. Liniowość ta−
kiego symetrycznego wtórnika jest
znacznie lepsza, niż poprzedniego układu,
jednak też nie jest rewelacyjna. Ponadto
trudno kontrolować drobne różnice
i (temperaturowe) zmiany napięć diod
i napięć U
BE
tranzystorów, które będą po−
wodować znaczne zmiany prądu płynące−
go przez tranzystory (zwłaszcza przy róż−
nych temperaturach diod i tranzystorów).
Dlatego w praktyce bywa czasem stoso−
prądzie tranzystora, spadek napięcia na
tym dodatkowym rezystorze wynosił
0,1...0,4V. W zasadzie czym więcej, tym
lepiej, jednak nie warto przesadzać, bo
w rezystorach tych przy dużych prądach
będzie się wydzielać znaczna moc strat.
Połączenie szeregowe
tranzystorów
W literaturze znajdziesz być może
wskazówki, jak połączyć kilka tranzysto−
rów niskonapięciowych w wysokonapię−
ciowy. Towarzyszyć temu będzie sche−
mat podobny jak na rysunku 15. Obejrzyj
taki schemat, uśmiechnij się i... zapomnij.
Nigdy nie będziesz stosował takich “wy−
nalazków”. Dziś dostępne są przyzwoite
tranzystory wysokonapięciowe i napraw−
dę nie ma potrzeby zawracać sobie gło−
wy schematem z rysunku 15.
Tylko jedno wyjaśnienie − może cza−
sem zbudujesz wzmacniacz wysokona−
pięciowy w układzie kaskodowym (rysu−
nek 6). Pamiętaj, że tylko górny tranzy−
stor ma być wysokonapięciowy. Dolny
zawsze pracuje przy niskim napięciu
i może to być jakikolwiek tranzystor o od−
powiednim prądzie kolektora.
Rys. 15
Wyjście przeciwsobne
Prawdopodobnie zauważyłeś, że
omówione wcześniej wzmacniacze OC,
OE i OB mają niezbyt dobre właściwości
wyjściowe. Nawet najlepszy pod tym
względem układ OC nie zachowuje się
jednakowo przy wzroście i zmniejszaniu
Rys. 16
32
E
LEKTRONIKA DLA WSZYSTKICH 8/99
Pierwsze kroki
wany sposób z rysunku d, gdzie dodatko−
we rezystory stabilizują punkt pracy tran−
zystorów i wyznaczają prąd spoczynko−
wy. Oczywiście suma spadków napięcia
na tych niewielkich rezystorach jest rów−
na napięciu przewodzenia dwóch dodat−
kowych diod. Zmieniając wartości R
E1
iR
E2
można ustalić potrzebny w danym
zastosowaniu prąd spoczynkowy.
W praktycznych układach taki stopień
wyjściowy jest sterowany “od dołu”
przez tranzystor NPN. Wtedy zamiast
czterech diod, wystarczą trzy wg rysunku
e. A jeszcze częściej do ustalenia punktu
pracy tranzystorów wyjściowych, za−
miast diod, wykorzystuje się układ z ry−
sunku f. Zastanów się nad działaniem
tranzystora i potencjometru. Już rysunki
d, e sugerują, iż zastępuje on kilka diod.
W samej rzeczy − potencjometr umożli−
wia płynną regulację “liczby diod”, a tym
samym płynną regulację prądu spoczyn−
kowego. A najważniejsze, że taka “zwie−
lokrotniona dioda” ma charakterystyki
termiczne podobne jak zestaw diod. Ten
dodatkowy tranzystor montuje się blisko
tranzystorów wyjściowych (na radiatorze)
i wtedy przy zmianach temperatury tran−
zystorów prąd spoczynkowy prawie się
nie zmienia.
W stopniach większej mocy spotyka
się darlingtony, zwykłe i komplementarne
− zobacz rysunek g, a także rysunek h,
gdzie oba wyjściowe tranzystory (mocy)
są typu NPN. Tranzystor sterujący może
być umieszczony “u góry”, jak na rysun−
ku g, albo “na dole”, jak na rysunkach e,
f, h. Zamiast rezystora dość często stoso−
wane bywają źródła prądowe, jak na ry−
sunku h.
W praktyce zwykle dodaje się jeszcze
obwody ograniczania prądu, jak na rysun−
ku i. Wtedy nawet przy zwarciu wyjścia,
prąd maksymalny zostanie ograniczony
do wartości około 0,6V/R
E
.
Przy okazji drobna dygresja. Jeśli
w spoczynku przez tranzystory płynie du−
ży prąd, a w czasie pracy prąd żadnego
z tranzystorów nie spada do zera, mówi−
my o pracy w klasie A (np. rysunek 16a).
Gdy w spoczynku tranzystory są na pro−
gu przewodzenia, a prąd pojawia się do−
piero po pojawieniu się sygnału, mamy
do czynienia z klasą B (np. rys. 16c). Gdy
w spoczynku prąd nie płynie i nawet przy
małych sygnałach tranzystory są zatkane,
mamy do czynienia z klasą C (np. rys.
16b). Klasa A oznacza małe zniekształce−
nia, ale duże straty mocy. Oszczędne kla−
sy B i C wiążą się niestety z dużymi znie−
kształceniami. Dlatego w praktyce wy−
znacza się pracę stopnia w głębszej lub
płytszej pośredniej klasie AB, stosując
układy z rysunków 16d...i ustalając kom−
promisowo prąd spoczynkowy. Czym
większy ten prąd, tym mniejsze znie−
kształcenia. Oczywiście, są to tylko ogól−
ne zasady i w rzeczywistości ustalając
wartość prądu spoczynkowego należy
uwzględnić szereg innych czynników. Ta−
kie rozważania wykraczają jednak poza
ramy niniejszego cyklu.
z dwoma jednakowymi rezystorami
w obwodach kolektorowych tranzysto−
rów. Bardzo często wykorzystuje się sy−
gnał z obu kolektorów, czyli różnicę na−
pięć na kolektorach. Mówimy wtedy
o
wyjściu różnicowym
.
Może zresztą widziałeś ten układ
w nieco odmiennej postaci, pokazanej na
rysunku 18 i nazywanej wzmacniaczem
różnicowym. Różnicowym, ponieważ za−
równo wejście i wyjście są różnicowe.
Wzmacniacz różnicowy
Teraz kolejny ważny układ. Połączmy
dwa wzmacniacze (OC i OB) w jeden –
ilustruje to rysunek 17a i 17b.
Rys. 17
Jakie właściwości będzie miał ten
układ?
Gdy napięcie w punkcie A rośnie, ro−
śnie też napięcie na emiterze T1. Ponie−
waż napięcie U
BE
tranzystora T2 maleje,
zmniejsza się prąd płynący przez T2 i R
C2
.
Napięcie na kolektorze T2 (w stosunku)
do masy rośnie. Do całkowitego zatkania
tranzystora T2 wystarczy podnieść napię−
cie wejściowe o kilkadziesiąt miliwoltów.
Podobnie, aby go nasycić wystarczy obni−
żyć je o kilkadziesiąt miliwoltów. Już to
pokazuje, że układ ma duże wzmocnienie
prądowe i napięciowe, podobnie jak
wzmacniacz OE. Czy widzisz tu jakieś
podobieństwa z układem OE? Czy nie
masz wrażenia, że układ z rysunku
17b ma właściwości podobne jak wzmac−
niacz OE, tylko nie odwraca fazy?
Tu rzeczywiście rezystancja wejścio−
wa będzie podobna jak w układzie OE −
nie przeocz faktu, że obciążeniem tranzy−
stora T1 wbrew pozorom nie jest rezy−
stancja R
E
, tylko równoległe połączenie
R
E
ir
e
tranzystora T2 − porównaj rysunek
4 w EdW 7/99. Wobec tego rezystancja
wejściowa będzie niewielka, równa
Rwe = 2r
e
Czyli tylko dwukrotnie większa niż
w układzie OE.
Natomiast wzmocnienie jest dwukrot−
nie mniejsze i wynosi
Ku = R
C2
/ 2r
e
Niemniej nie jest to tylko “nieodwra−
cający odpowiednik wzmacniacza OE” −
ten układ ma szereg cennych właściwo−
ści, nie spotykanych we wcześniejszych
wzmacniaczach. W praktyce występuje
raczej w postaci jak na rysunku 17c −
Sygnał wejściowy nie jest już podawany
miedzy masę a jedno wejście, tylko mie−
dzy dwa wejścia. Nie masz chyba wątpli−
wości, że sygnał wyjściowy jest tu pro−
porcjonalny do
różnicy napięć na bazach
obu tranzystorów
. Czy tylko?
Analiza matematyczna wzmacniacza
różnicowego (z wykładniczą zależnością
prądu kolektora od napięcia U
BE
) przestra−
szyła już niejednego początkującego
adepta elektroniki. My nie będziemy się
w to wgłębiać. Nie bój się – wzmacniacz
różnicowy możesz na dobry początek po−
traktować jako połączenie wzmacniaczy
OC i OB jak na rysunku 17 – łatwiej bę−
dzie Ci zrozumieć jego podstawowe wła−
ściwości. Możesz założyć, że jedno wej−
ście ma stały potencjał, a napięcie zmie−
nia się tylko na drugim, albo odwrotnie.
Tak jest, można powiedzieć, że układ ma
“jednakowe właściwości z obu stron”.
Potem powinieneś podejść do niego ina−
czej. Już schemat z rysunku 18 wskazu−
je, że jest to układ symetryczny. Jak to ro−
zumieć? Od czego zacząć?
Uważaj − przez wspólny rezystor emi−
terowy R
E
płynie jakiś prąd I
E
. Pomińmy
prądy baz − wtedy powiemy, że prąd I
E
jest sumą prądów kolektora obu tranzy−
storów. Zaznaczyłem to na rysunku 18.
Czy prądy I
C1
, I
C2
będą równe?
To zależy od różnicy napięć na bazach
obu tranzystorów − zauważ, że to różnica
napięć na bazach zmienia rozpływ prądu
“emiterowego” pomiędzy dwa tranzy−
story, a tym samym zmienia różnicowe
napięcie wyjściowe.
Jasne?
E
LEKTRONIKA DLA WSZYSTKICH 8/99
33
Pierwsze kroki
A co wte−
dy, gdy na oba
wejścia poda−
my takie sa−
me napięcie
względem
masy (lub ze−
wrzemy je
i podamy na
oba jakieś na−
pięcie zmien−
ne)? Podaje−
my więc na
zwarte wej−
ścia napięcie
współbieżne.
Przeanalizuj
układ samo−
dzielnie, pomiń prąd bazy. Pomoże Ci ry−
sunek 19 (przyjąłem takie wartości na−
pięć i rezystancji, żeby było łatwiej li−
czyć). Jakie będzie napięcie wyjściowe,
gdy punkt A zewrzesz do masy? A jakie,
gdy podasz nań napięcie stałe +4V,
a potem −4V? Policz to!
tomiast różnicowe napięcie wyjścio−
we... stop, stop, za szybko. Tu pójdzie
nam trochę trudniej. Rysunek 19 suge−
ruje, że różnicowe napięcie wyjściowe
cały czas jest takie samo (równe zeru).
W rzeczywistości aż tak dobrze nie jest
− gdy napięcia na bazach będą minimal−
nie się różniły i będą się różniły prądy
I
C1
, I
C2
, wtedy wpływ zmian napięcia
współbieżnego będzie zauważalny. Ilu−
struje to rysunek 20a, b, c, gdzie to sa−
mo niewielkie różnicowe napięcie wej−
ściowe U3 (nie ważne jakiej wartości −
rzędu miliwoltów) powoduje podział
prądu I
E
w stosunku 2:1. Analiza rysun−
ków 20a, b, c wykazuje, że choć różni−
cowe napięcie wejściowe cały czas jest
takie samo (U3), jednak napięcie współ−
bieżne U4 ma wpływ na różnicowe na−
pięcie wyjściowe. Już zapewne zdąży−
łeś zauważyć, że zmiany te wynikają ze
zmian prądu IE (i tym samym I
C1
, I
C2
). Co
zrobić, by napięcie współbieżne nie
zmieniało prądu I
E
?
Masz jakiś pomysł?
Świetnie!
Wystarczy zamiast rezystora R
E
za−
stosować źródło prądowe według ry−
sunku 21.
Gdy źródło
prądowe jest
idealne, to...
no właśnie,
wtedy prąd I
E
zawsze jest
taki sam
i w konse−
kwencji na−
pięcie współ−
bieżne zupeł−
nie nie wpły−
wa na napię−
cia wyjścio−
we − przeana−
lizuj to samo−
dzielnie. Fa−
chowo po−
wiemy, że taki układ ma nieskończenie
wielki współczynnik tłumienia sygnału
współbieżnego. Ten współczynnik tłu−
mienia sygnału współbieżnego po an−
gielsku nazywa się Common Mode Re−
jection Ratio − w skrócie CMRR. Zapa−
miętaj − często będziesz go spotykał.
W praktyce źródło prądowe nie jest ide−
alne, niemniej jednak znalazłeś skutecz−
ny sposób na uniezależnienie się od na−
pięć współbieżnych. Wtedy wzmocnie−
nie sygnału wspólnego jest bliskie zeru,
natomiast wzmocnienie różnicowych
sygnałów wejściowych jest znaczne
(wyznaczone przez R
C
/r
e
).
A może jeszcze coś się uda ulepszyć?
Ulepszajmy
dalej − zwięk−
szmy wzmoc−
nienie przez za−
stosowanie
w kolektorach
źródeł prądo−
wych zamiast
rezystorów R
C
(rysunek 22).
Taki zabieg ra−
dykalnie zwięk−
szy wzmocnie−
nie (pod wa−
runkiem, że do−
łączona opor−
ność obciąże−
nia będzie bardzo duża, ale to już inny
problem).
W niektórych przypadkach nie zależy
nam na dużym wzmocnieniu, a ważniej−
sza jest liniowość. Jak się na pewno do−
myślasz, wystarczy dodać rezystory
w obwodach emiterów, a liniowość po−
lepszy się kosztem wzmocnienia −
zobacz rysunek 23.
Już chyba się przekonałeś, że to fajny
układ ten wzmacniacz różnicowy. Ale to
jeszcze nie koniec. Zmorą wszystkich
omawianych wcześniej wzmacniaczy
OC, OE, OB była zależność wielu klu−
Rys. 22
Rys. 19
I co?
Okazuje się, że owszem, napięcia na
kolektorach względem masy zmieniają
się, ale zmieniają się jednocześnie. Na−
Rys. 21
Rys. 20
34
E
LEKTRONIKA DLA WSZYSTKICH 8/99
Rys. 18
Pierwsze kroki
czowych para−
metrów
od
że w stopniu wejściowym zastosowa−
łem tranzystory PNP, a nie NPN.
Czy ten układ kojarzy Ci się z czymś?
Ze wzmacniaczem z Elektora 6/99?
Z każdym wzmacniaczem mocy?
Słusznie! Prawie każdy tranzystoro−
wy wzmacniacz mocy audio zbudowany
jest na takiej mniej więcej zasadzie.
A może jeszcze Ci się z czymś koja−
rzy? Nie?
Mój Drogi, dokonaliśmy właśnie
wspólnie fantastycznego wynalazku –
na rysunku 24 mamy prawdziwy
wzmacniacz operacyjny! Zauważ, że ma
on tylko pięć końcówek: dwie końcówki
zasilania (plus i minus, bez żadnej ma−
sy), wyjście i dwa wejścia (wejście róż−
nicowe). Jeśli prześledzisz drogę sygna−
łu, przekonasz się, że zwiększanie na−
pięcia na wejściu A zwiększa napięcie
wyjściowe. Wejście to nazywany wej−
ściem nieodwracającym. Z kolei wzrost
napięcia na wejściu B powoduje zmniej−
szanie się napięcia na wyjściu. Wejście
B jest wejściem odwracającym.
Teraz wyobraź sobie, że ktoś wykonał
taki wzmacniacz w postaci układu scalo−
nego. Od tej chwili mniej ważne stają
się szczegóły wewnętrzne − ogólne za−
sady działania każ−
dego wzmacnia−
cza operacyjnego
są takie same. Za−
czynamy go trakto−
wać jako czarną
skrzynkę z dwoma
wejściami, wyj−
ściem i dwoma za−
ciskami zasilania.
Rysujemy go w po−
staci jak na rysun−
ku 25. Taki jest
symbol wzmacnia−
cza operacyjnego.
W rzeczywisto−
ści budowa we−
wnętrzna współ−
czesnych wzmac−
niaczy operacyj−
nych jest daleko
bardziej skompliko−
wana, niemniej
ogólne podstawy
budowy i działania
są właśnie takie jak
na rysunku 24.
A tak na margine−
sie − mniej więcej
w ten sposób zbu−
dowany jest popu−
larny wzmacniacz
operacyjny z kostki
LM358.
Jeśli nadążasz
za mną, to właśnie
poznałeś składowe
tem−
peratury.
Załóżmy te−
raz, że we
wzmacniaczu
różnicowym
wykorzystuje−
my dwa iden−
tyczne tranzy−
story, umie−
szczone tuż
obok siebie na
jednej płytce
krzemu. Jedna−
kowe są nie
tylko wymiary
geometryczne,
ale także wszystkie parametry. Tempe−
ratura obu struktur też jest jednakowa.
Co z tego?
Nie będziemy wchodzić w szczegóły.
Generalnie temperatura wpłynie na nie−
które parametry, niemniej w sytuacji,
gdy tranzystory są jednakowe, wpływ
na ostateczne właściwości wzmacnia−
cza będzie niewielki.
Notujemy kolejną cenną właściwość
pary różnicowej − znaczną niezależność
parametrów od temperatury.
Oczywiście w rzeczywistości podane
warunki (identyczne parametry tranzy−
storów, identyczna temperatura, ideal−
nie źródło prądowe) nie są do końca
spełnione i każdy realny wzmacniacz
różnicowy nie jest doskonały. Jednak
generalnie to właśnie wzmacniacz różni−
cowy otwiera drogę do budowy poży−
tecznych wzmacniaczy o właściwo−
ściach praktycznie niezależnych od tem−
peratury i innych szkodliwych czynni−
ków.
Rysunek 24 pokazuje bardzo prosty
przykład realizacji takiego wzmacniacza.
Układ jest zasilany napięciem syme−
trycznym, ma wejście różnicowe (syme−
tryczne) i wyjście niesymetryczne. Nie−
wątpliwie ma bardzo duże wzmocnienie
różnicowe... Chyba Ci nie przeszkadza,
Rys. 25
Rys. 23
cegiełki oraz podstawy działania wzmac−
niacza operacyjnego. Teraz nie pozosta−
je mi nic innego, tylko w najbliższym
czasie zacząć tak długo oczekiwany cykl
na ten temat. Ale cyklu o tranzystorach
nie kończę. Listy nadsyłane w tej spra−
wie świadczą, że na łamach EdW po−
winny równolegle pojawiać się oba te−
maty. W najbliższym czasie zajmiemy
się zarówno wzmacniaczami operacyj−
nymi, jak i tranzystorami.
Piotr Górecki
Rys. 24
E
LEKTRONIKA DLA WSZYSTKICH 8/99
35